9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N6623US/TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N6623US/TR参考价格为13.21500美元。Microchip Technology 1N6623US/TR封装/规格：整流器UFR、FRR。您可以下载1N6623US/TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N6622是DIODE GEN PURP 600V 1.2A AXIAL，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了用于a、轴向的包装箱，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计用于a-PAK，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为500nA@600V，该器件的正向电压Vf Max为1.4V@1.2A。如果该器件的反向电压Vr Max为600V，平均整流电流Io为1.2A，反向恢复时间trr为45ns，其工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C，其最低工作温度范围为-65℃，Vf正向电压为1.6V，Vr反向电压为660V，Ir反向电流为500nA，如果正向电流为2A，最大浪涌电流为20A，恢复时间为45ns。
1N6622US是DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF，包括1.4V@1.2A电压正向Vf Max。如果它们设计为在660V电压直流反向Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于A-MELF的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为在30ns内工作等速度特性，该器件也可以用作SQ-MELF封装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件采用SMD/SMT安装方式，该器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为500nA@660V，电流平均整流Io为1.2A，电容Vr F为10pF@10V，1MHz。
1N6623是DIODE GEN PURP 880V 1A AXIAL，包括10pF@10V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于500nA@880V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-65°C~150°C，该装置也可作为A型轴向包装箱使用。此外，封装是散装的，该设备提供50ns反向恢复时间trr，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），电压DC反向Vr Max为880V，电压正向Vf Max If为1.55V@1A。
