9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATXV1N6641US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATXV1N6641美国参考价格13.35000美元。Microchip Technology JATXV1N6641US包装/规格：DIODE GEN PURP 50V 300MA D-MELF。您可以下载JATXV1N6641US英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATXV1N6640US，带有引脚细节，包括军用、MIL-PRF-19500/578和/609系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了用于SQ-MELF，D的包装箱，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于D-5D，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为90μA@50V，器件提供1V@200mA电压正向Vf Max。如果，器件具有50V电压反向Vr Max，电流平均整流Io为300mA（DC），反向恢复时间trr为4ns，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
JATXV1N6640带有用户指南，其中包括1V@200mA电压正向Vf Max，如果设计为在50V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了D-5D中使用的供应商设备包，该设备提供快速恢复=200mA（Io）等速度特性，该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/578和/609，以及4ns反向恢复时间trr，该装置也可以用作散装包装。此外，封装外壳为SQ-MELF，D，其工作温度结范围为-65°C~175°C，器件具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为90μa@50V，电流平均整流Io为300mA（DC）。
带有电路图的JATXV1N6641，包括300mA电流平均整流Io，它们设计为在100nA@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装型功能，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及D型轴向封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为5ns，该设备在军用MIL-PRF-19500/609系列中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为D-Pak，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA。
