9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATX1N5550US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATX1N5550美国参考价格13.45150美元。Microchip Technology JATX1N5550US包装/规格：DIODE GEN PURP 200V 5A B-MELF。您可以下载JATX1N5550US英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATX1N5550是DIODE GEN PURP 200V 5A AXIAL，包括军用MIL-PRF-19500/420系列，它们设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供B、轴向等包装箱功能，安装类型设计用于通孔以及标准恢复>500ns、>200mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@200V，该器件提供1.2V@9A电压正向Vf Max。如果，该器件具有200V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为5A，反向恢复时间trr为2μs，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
JATX1N5546D-1，带有用户指南，包括33V电压齐纳标称Vz，设计用于在1.1V@200mA电压正向Vf最大值下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.004586盎司，具有±1%的公差特性，供应商设备包设计用于DO-35（DO-204AH）以及军用MIL-PRF-19500/437系列，该设备也可以用作500mW最大功率。此外，包装为散装，该设备提供DO-204AH、DO-35、轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~175°C，安装类型为通孔，长度为5.08 mm，阻抗最大Zzt为100欧姆，直径为2.29 mm，电流反向泄漏Vr为10nA@29.7V。
JATX1N5546DUR-1带电路图，包括10nA@29.7V电流反向泄漏Vr，它们设计为在1.7 mm直径下工作，阻抗最大Zzt如数据表注释所示，用于100 Ohm，提供3.7 mm等长度特性，安装类型设计为在表面安装中工作，以及SMD/SMT安装样式，其工作温度范围为-65°C~175°C。此外，包装箱为DO-213AA（玻璃），装置采用散装包装，装置最大功率为500mW，系列为军用MIL-PRF-19500/437，供应商装置包装为DO-213A，公差为±1%，单位重量为0.001270盎司，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，电压齐纳标称Vz为33V。
