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JATX1N914是DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35,包括军用MIL-PRF-19500/116系列,它们设计用于散装包装,数据表注释中显示了用于DO-204AH、DO-35、轴向的包装箱,提供安装类型功能,如通孔,供应商设备包设计用于DO-35(DO-204AH),以及小信号=速度,该器件也可以用作标准二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为500nA@75V,器件提供1.2V@50mA电压正向Vf Max。如果,器件具有75V电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为200mA,反向恢复时间trr为5ns,电容Vr F为4pF@0V,1MHz,其工作温度结范围为-65°C~175°C。
JATX1N829UR-1带有用户指南,其中包括6.2V电压齐纳标称Vz,它们设计为在0.001270盎司单位重量下运行,公差显示在数据表注释中,使用范围为±5%,提供供应商设备包功能,如DO-213AA,系列设计用于军用,MIL-PRF-19500/159,以及500mW最大功率,该设备也可以用作散装包装。此外,封装外壳为DO-213AA,该器件采用SMD/SMT安装方式,该器件具有安装型表面安装,长度为3.7mm,阻抗最大Zzt为15欧姆,直径为1.7mm,电流反向泄漏Vr为2μa@3V。
JATX1N914B,带有MSC制造的电路图。JATX1N914B采用DIODE封装,是IC芯片的一部分。