9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JAN1N6620US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。6620年1月美国参考价格13.65000美元。Microchip Technology JAN1N6620US包装/规格：DIODE GEN PURP 220V 2A D5A。您可以下载JAN1N6620US英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JAN1N649-1是DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35，包括军用MIL-PRF-19500/240系列，设计用于散装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-204AH、DO-35、轴向，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计用于DO-35，以及标准恢复>500ns、>200mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr在600V时为50nA，该器件的正向电压Vf Max为1V@400mA。如果该器件的反向电压Vr Max为600V，平均整流电流Io为400mA，则其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
JAN1N6620和用户指南，包括1.6V@2A电压正向Vf Max。如果设计为在220V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于快速恢复=20mA（Io）的速度，提供了军用、MIL-PRF-19500/585等系列功能，反向恢复时间trr设计为在30ns内工作，该器件也可以用作A，轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为500nA@220V，电流平均整流Io为2A，电容Vr F为10pF@10V，1MHz。
带有电路图的JAN1N6620U，包括1.2A电流平均整流Io，它们设计为在500nA@200V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结区范围为-65°C~150°C，以及SQ-MELF，a封装盒，该装置也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为30ns，该设备在军用MIL-PRF-19500/585系列中提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为D-5A，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.4V@1.2A。
