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JATXV1N4153-1是DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35，包括军用MIL-PRF-19500/337系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了用于DO-204AH、DO-35、轴向安装的包装箱，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计用于DO-35，以及小信号=速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为50nA@50V，该器件提供880mV@20mA电压正向Vf Max。如果，该器件具有50V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为150mA，反向恢复时间trr为4ns，电容Vr F为2pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~175°C。
JATXV1N4153UR-1和用户指南，包括880mV@20mA电压正向Vf Max，如果设计为在50V电压直流反向Vr Max下工作，则供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-213AA，提供速度特性，如小信号=，系列设计用于军用MIL-PRF-19500/337，以及4ns反向恢复时间trr，该装置也可以用作散装包装。此外，封装外壳为DO-213AA，其工作温度结范围为-65°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为50nA@50V，电流平均整流Io为150mA，电容Vr F为2pF@0V，1MHz。
JATXV1N4150UR-1是DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA，包括200MA（DC）电流平均整流Io，它们设计为在100nA@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-213AA包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为4ns，该设备为军用MIL-PRF-19500/231系列，该设备具有小信号=速度，供应商设备包为DO-213AA，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1V@200mA。
