9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATX1N5819-1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATX1N5819-1参考价格7.65000美元。Microchip Technology JATX1N5819-1包装/规格：DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO204AL。您可以下载JATX1N5819-1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATX1N5814是DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA，包括军用MIL-PRF-19500/478系列，它们设计用于散装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-203AA、DO-4、螺柱，提供底盘、螺柱安装等安装类型功能。供应商设备包设计用于DO-203A（DO-4），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为10μA@100V，器件提供950mV@20A电压正向Vf Max。如果，器件具有100V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为20A，反向恢复时间trr为35ns，电容Vr F为300pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
JATX1N5814R是DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA，包括950mV@20A正向电压Vf Max。如果它们设计为在100V直流反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了DO-203AA（DO-4）中使用的供应商设备包，该DO-203A提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，以及35ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作散装包装。此外，封装外壳为DO-203AA、DO-4、螺柱，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有底座、螺柱安装式安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电流平均整流Io为20A，电容Vr F为300pF@10V，1MHz。
JATX1N5816是DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA，包括300pF@10V，1MHz电容Vr F，它们设计用于20A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@150V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于底盘，螺柱安装，它的工作温度结范围为-65°C~175°C，该装置也可以用作DO-203AA、DO-4、螺柱包装箱。此外，包装为散装，设备提供35ns反向恢复时间trr，设备具有军用MIL-PRF-19500/478系列，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包为DO-203AA（DO-4），电压直流反向Vr最大值为150V，电压正向Vf最大值为950mV@20A。
