9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S5G-E3/9AT,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。S5G-E3/9AT参考价格为0.17016美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S5G-E3/9AT封装/规格:DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB。您可以下载S5G-E3/9AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S5G-E3/57T是DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB,包括标准回收整流器产品,它们设计用于切割胶带(CT)替代包装包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.010582盎司,提供SMD/SMT等安装类型功能,包装箱设计用于DO-214AB、SMC以及表面安装型,该设备也可以用作DO-214AB(SMC)供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备的标准恢复>500ns,>200mA(Io)速度,该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为10μa@400V,电压正向Vf Max If为1.15V@5A,电压直流反向Vr Max为400V,电流平均整流Io为5A,反向恢复时间trr为2.5μs,电容Vr F为40pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-55℃~150℃,最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围-55℃,Vf正向电压为1.15 V,Vr反向电压为400 V,Ir反向电流为10 uA,如果正向电流为5 A,最大浪涌电流为100A,恢复时间为2500ns。
S5GCTR带用户指南,包括1.15V@5A电压正向Vf Max,如果设计为在400V电压直流反向Vr Max下运行,供应商设备包如数据表说明所示,用于SMC(DO-214AB),提供速度特性,如标准恢复>500ns,>200mA(Io),包装设计用于磁带和卷轴(TR),以及DO-214AA,SMC包装箱,其工作温度结范围为-65°C~150°C。此外,安装类型为表面安装,该器件为标准二极管类型,该器件具有10μa@400V的反向电流泄漏Vr,平均整流电流Io为5A,电容Vr F为40pF@4V,1MHz。
S5GC-F,带有LITEON制造的电路图。S5GC-F采用SMC封装,是二极管、整流器-单体的一部分。