9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RS3JHE3_A/H,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。RS3JHE3_A/H参考价格为0.27152美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RS3JHE3_A/H封装/规格:DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB。您可以下载RS3JHE3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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RS3JHE3_A/H,带有引脚细节,包括汽车AEC-Q101系列,它们设计为使用磁带和卷轴(TR)替代包装包装,数据表注释中显示了用于DO-214AB、SMC的包装箱,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备包设计为在DO-214AA、(SMC)中工作,以及快速恢复=20mA(Io)速度,该器件也可以用作标准二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为10μA@600V,该器件提供1.3V@2.5A电压正向Vf Max If,该器件具有600V电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为3A,反向恢复时间trr为250ns,电容Vr F为34pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
RS3JHE3/57T是DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB,包括1.3V@2.5A电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行,供应商设备包如数据表注释所示,用于DO-214AB(SMC),提供快速恢复=20mA(Io)等速度特性,反向恢复时间trr设计为250ns,除了磁带和卷轴(TR)封装外,该器件还可以用作DO-214AB、SMC封装盒,其工作温度结范围为-55°C~150°C,该器件为表面安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为10μa@600V,电流平均整流Io为3A,电容Vr F为34pF@4V,1MHz。
RS3JHE3/9AT是DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB,包括34pF@4V,1MHz电容Vr F,它们设计用于3A电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于10μa@600V,提供二极管类型功能,如标准,安装类型设计用于表面安装,它的工作温度结范围为-55°C~150°C,该器件也可用作DO-214AB、SMC封装盒。此外,包装为磁带和卷轴(TR),设备提供250ns反向恢复时间trr,设备速度快速恢复=20mA(Io),供应商设备包装为DO-214AB(SMC),直流反向电压Vr最大值为600V,正向电压Vf最大值为1.3V@2.5A。