9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-80PF120W,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-80PF120W参考价格为5.11800美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-80PF120W封装/规格:DIODE GEN PURP 1.2KV 80A DO203AB。您可以下载VS-80PF120W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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VS-80PF120是DIODE STD REC 80A DO-5,包括标准回收整流器产品,它们设计用于散装包装,数据表注释中显示了用于80PF120的零件别名,该80PF120提供单位重量功能,例如1.005308盎司,安装样式设计用于螺柱,以及DO-203AB、DO-5螺柱包装箱,螺柱安装安装类型。此外,供应商设备包为DO-203AB(DO-5),该设备为单配置,该设备的标准恢复时间大于500ns,速度大于200mA(Io),二极管类型为标准,正向电压Vf Max If为1.4V@220A,反向电压Vr Max为1200V(1.2kV),平均整流电流Io为80A,它的工作温度结范围为-55°C~180°C,最大工作温度范围为+180°C。它的最小工作温度范围是-55°C,Vf正向电压在220 A时为1.4 V,Vr反向电压为1200 V,Ir反向电流为9000 uA,如果正向电流为80 A,最大浪涌电流为1570 A。
VS-80EPS12PBF是DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC,包括1.17V@80A电压正向Vf Max。如果它们设计为在1200V(1.2KV)电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于to-247AC的供应商设备包,其提供速度特性,如标准恢复>500ns,>200mA(Io),与TO-247-3封装盒一样,其工作温度结范围为-40°C~150°C。此外,安装类型为通孔,该器件为标准二极管类型,该器件具有100μa@1200V电流反向泄漏Vr,电流平均整流Io为80A。
VS-80EPS08PBF是DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC,包括80A电流平均整流Io,它们设计为在100μa@800V电流反向泄漏Vr下工作,二极管类型如数据表注释所示,用于标准中,该标准提供安装类型特征,如通孔,其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C,以及TO-247-3包装盒,该设备也可以用作管包装。此外,速度为标准恢复>500ns,>200mA(Io),该设备在TO-247AC供应商设备包中提供,该设备具有800V直流反向电压Vr Max,正向电压Vf Max If为1.17V@80A。