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JATX1N5418US是DIODE GEN PURP 400V 3A D5B,包括军用MIL-PRF-19500/411系列,它们设计用于快速恢复整流器产品,包装如数据表注释所示,用于散装,提供SQ-MELF、B等包装箱功能,安装类型设计用于表面安装,以及D-5B供应商设备包,该设备也可以用作快速恢复=200mA(Io)速度。此外,二极管类型为标准型,该器件提供2μA@400V电流反向泄漏Vr,该器件具有1.5V@9A电压正向Vf Max If,电压直流反向Vr Max为400V,电流平均整流Io为3A,反向恢复时间trr为150ns,其工作温度结域为-65°C~175°C,它的最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围是-65 C,Vf正向电压为1.5 V,Vr反向电压为400 V,Ir反向电流为1 uA,If正向电流为3 A,最大浪涌电流为80 A,恢复时间为150 ns。
JATX1N5419US带有用户指南,其中包括1.5V@9A电压正向Vf Max,如果设计为在500V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了D-5B中使用的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)等速度特性,该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/411,以及250ns反向恢复时间trr,该装置也可以用作散装包装。此外,封装外壳为SQ-MELF,B,其工作温度结范围为-65°C~175°C,该器件具有安装型SMD/SMT,安装类型为表面安装,二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为1μa@500V,电流平均整流Io为3A。
JATX1N5419是DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL,包括3A电流平均整流Io,它们设计为在1μa@500V电流反向泄漏Vr下工作,二极管类型如数据表注释所示,用于标准,提供安装类型特征,如通孔,安装类型设计为在通孔中工作,它的工作温度范围为-65°C~175°C,该装置也可作为B轴封装外壳使用。此外,包装为散装,该设备提供250ns反向恢复时间trr,该设备具有军用MIL-PRF-19500/411系列,速度为快速恢复=20mA(Io),电压DC反向Vr Max为500V,电压正向Vf Max If为1.5V@9A。