9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N5190，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5190参考价格7.78496美元。Microchip Technology 1N5190封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL。您可以下载1N5190英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5189是DIODE GEN PURP 500V 3A AXIAL，包括散装封装，它们设计为通孔安装型，数据表注释中显示了用于B，轴向，提供安装型功能，如通孔，速度设计为快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管型，该器件还可以用作2μA@500V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.5V@9A，该设备提供500V电压DC反向电压Vr Max，该设备具有3A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为300ns，其工作温度结范围为-65°C~175°C。
1N5189US，带用户指南，包括1.5V@9A电压正向Vf Max。如果它们设计为在500V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了D-5B中使用的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为在300ns内运行，以及散装包装，该器件也可用作E-MELF封装盒，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为SMD/SMT安装型，该器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为2μa@500V，电流平均整流Io为3A。
1N5188US，带电路图，包括3A电流平均整流Io，它们设计为在2μa@400V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及B，轴向封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为250ns，设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，设备具有400V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.5V@9A。
