9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N6630，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N6630参考价格为11.01000美元。Microchip Technology 1N6630封装/规格：DIODE GEN PURP 990V 1.4A AXIAL。您可以下载1N6630英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N6628US是DIODE GEN PURP 660V 1.75A A-MELF，包括散装包装，它们设计为以SMD/SMT安装方式运行，数据表注释中显示了用于SQ-MELF，A的封装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计为在A-MELF中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为2μA@660V，该器件提供1.35V@2A电压正向Vf Max If，该器件具有660V的电压反向Vr Max，电流平均整流Io为1.75A，反向恢复时间trr为30ns，电容Vr F为40pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
1N6629是DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL，包括1.4V@1.4A电压正向Vf Max。如果它们设计为在880V电压直流反向Vr Max下工作，速度如数据表注释所示，用于快速恢复=20mA（Io），提供反向恢复时间trr功能，如50ns，包装设计为批量工作，其工作温度结范围为-65°C~150°C。此外，安装类型为通孔安装，该器件采用通孔安装类型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为2μa@880V，电流平均整流Io为1.4A，电容Vr F为40pF@10V，1MHz。
1N6629US，带电路图，包括40pF@10V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1.4A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于2μa@880V，提供标准等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C，该装置也可用作SQ-MELF、A包装箱。此外，包装为散装，设备提供50ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为a-MELF，电压DC反向Vr Max为880V，电压正向Vf Max If为1.4V@1.4A。
