9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SD101CWS-G3-18,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SD101CWS-G3-18价格参考0.06354美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SD101CWS-G3-18封装/规格:DIODE SCHOTTKY 50V 30MA SOD323。您可以下载SD101CWS-G3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SD101CW-HE3-18带有引脚细节,包括汽车、AEC-Q101系列,它们设计用于肖特基二极管产品,包装如数据表注释所示,用于胶带和卷轴(TR)替代包装,提供单位重量功能,如0.000363盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及SOD-123包装箱,该器件也可以用作Si技术。此外,安装类型为表面安装,该设备在SOD-123供应商设备包中提供,该设备具有单一配置,速度为小信号=,二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为200nA@30V,电压正向Vf Max If为900mV@15mA,电压直流反向Vr Max为40V,电流平均整流Io为30mA(DC),反向恢复时间trr为1ns,电容Vr F为2.2pF@0V,1MHz,工作温度结范围为-55°C~125°C,Pd功耗为400mW,最大工作温度范围为+125 C,最小工作温度范围-55 C,Vf正向电压为900mV,Ir反向电流为200nA,以及如果正向电流为30mA,且Vrm重复反向电压为40V,且Ifsm正向浪涌电流为2A,且trr反向恢复时间为1ns。
SD101CW-HE3-08和用户指南,包括40 V Vrm重复反向电压,它们设计为在15 mA电压下以1V正向Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于40 V的电压DC反向Vr Max,该电压提供了900 mV等Vf正向电压特性,单位重量设计为在0.000363 oz下工作,以及1 ns trr反向恢复时间,该器件也可以用作Si技术。此外,供应商设备包装为SOD-123,该设备以小信号=速度提供,该设备具有自动AEC-Q101系列,反向恢复时间trr为1ns,产品为肖特基二极管,Pd功耗为400mW,包装为磁带和卷轴(TR)交替包装,包装箱为SOD-13,其工作温度结范围为-55°C~125°C,安装方式为SMD/SMT,安装类型为表面安装,最小工作温度范围为-55C,最大工作温度范围+125 C,Ir反向电流为200 nA,Ifsm正向浪涌电流为2 A,如果正向电流为30 mA,二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为200nA@30V,电流平均整流Io为30mA(DC),配置为单一,电容Vr F为2pF@0V,1MHz。
SD101CW-GS18,带有VISHAY制造的电路图。SD101CW-GS18采用SOD123封装,是IC芯片的一部分。