9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N4454-1/TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4454-1/TR参考价格$11.11000。Microchip Technology 1N4454-1/TR封装/规格：信号/计算机二极管。您可以下载1N4454-1/TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4454-TAP是DIODE GEN PURP 75V 150MA DO204AH，包括超快速恢复整流器产品，它们设计为与磁带盒（TB）替代包装一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.004409盎司，具有通孔等安装方式特征，包装箱设计为适用于DO-204AH、DO-35、轴向、，该设备也可以用作DO-204AH（DO-35玻璃）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备以小信号=速度提供，该设备具有二极管类型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@75V，电压正向Vf Max If为1V@10mA，电压直流反向Vr Max为75V，电流平均整流Io为150mA，反向恢复时间trr为4ns，其工作温度结范围为-65℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-65℃，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为50 V，Ir反向电流为5 uA（75 V），If正向电流为200 mA，最大浪涌电流为0.5 A，恢复时间为4 ns。
1N4454TR是DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35，包括1V@10mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在50V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-35的供应商设备包，该DO-35提供速度特性，如小信号=、反向恢复时间trr设计为4ns，以及切割带（CT）替代包装，该器件也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度结范围为175°C（最大值），该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@50V，电流平均整流Io为200mA，电容Vr F为4pF@0V，1MHz。
带电路图的1N4454-1，包括200mA电流平均整流Io，它们设计为在100nA@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为4ns，设备以小信号=速度提供，设备具有DO-35供应商设备包，电压DC反向Vr Max为75V，电压正向Vf Max If为1V@10mA。
