9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VB20120SG-E3/4W,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。VB20120SG-E3/4W参考价格为0.59417美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VB20120SG-E3/4W封装/规格:DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB。您可以下载VB20120SG-E3/4W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VB20120S-E3/8W是DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB,包括TMBSR系列,它们设计用于肖特基整流器产品,包装如数据表说明所示,用于磁带和卷轴(TR)替代包装,提供单位重量功能,如0.048678盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及TMBS商标,该设备也可以用作TO-263-3、D2Pak(2引线+接线片)、TO-263AB封装盒。此外,该技术为Si,该器件为表面安装安装型,该器件具有供应商器件封装的TO-263AB,配置为单一,速度为快速恢复=20mA(Io),二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为300μa@120V,电压正向Vf Max If为1.12V@20A,电压直流反向Vr Max为120V,电流平均整流Io为20A,工作温度结范围为-40°C~150°C,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-40 C,Vf正向电压为1.12 V,Ir反向电流为300 uA,如果正向电流为20 A,Vrm重复反向电压为120 V,Ifsm正向浪涌电流为200A。
VB20120S-E3/4W是DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB,包括120 V Vrm重复反向电压,它们设计为以1.12V@20A电压正向Vf Max运行。如果数据表备注中显示了用于120V的电压直流反向Vr Max,它提供1.12 V等正向电压特性,单位重量设计为0.048678盎司,以及TMBS商品名,该器件也可以用作Si技术。此外,供应商设备包装为TO-263AB,该设备以快速恢复=20mA(Io)速度提供,该设备具有系列TMBSR,产品为肖特基整流器,包装为管交替包装,包装箱为TO-263-3、D2Pak(2引线+接线片)、TO-263AA,其工作温度结范围为-40°C~150°C,安装类型为SMD/SMT,安装类型为表面安装,其最小工作温度范围为-40℃,最大工作温度范围+150℃,Ir反向电流为300 uA,Ifsm正向浪涌电流为200 A,如果正向电流为20 A,二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为300μA@120V,电流平均整流Io为20A,配置为单一。
VB20120C-M3/8W,带有Vishay制造的电路图。是二极管、整流器-单个的一部分,并支持“肖特基二极管和整流器20A,二极管阵列1对公共阴极肖特基120V 10A表面安装TO-263-3,D?Pak(2引线+接线片),TO-263AB,双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器,肖特基二极管与整流器20A、120V,Trench SKY RECT”。。