9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GP30D-E3/54,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。GP30D-E3/54参考价格为0.59499美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GP30D-E3/54封装/规格:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD。您可以下载GP30D-E3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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GP30BHE3/54是DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD,包括SUPERCTIFIERR系列,它们设计用于磁带和卷轴(TR)包装,包装箱如数据表注释所示,用于DO-201AD,轴向,提供安装类型功能,如通孔,供应商设备包设计用于DO-201AD,以及标准恢复>500ns,>200mA(Io)速度,该器件也可以用作标准二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为5μA@100V,该器件提供1.2V@3A电压正向Vf Max。如果,该器件具有100V电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为3A,反向恢复时间trr为5微秒,其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
GP30BHE3/73是DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD,包括1.2V@3A正向电压Vf Max。如果它们设计为在100V电压DC反向电压Vr Max下运行,则数据表说明中显示了DO-201AD中使用的供应商设备包,该设备提供速度特性,如标准恢复>500ns,>200mA(Io),除了5μs反向恢复时间trr,该设备还可以用作磁带盒(TB)封装。此外,封装外壳为DO-201AD,轴向,其工作温度结范围为-65°C~175°C,装置具有安装型通孔,二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为5μa@100V,电流平均整流Io为3A。
GP30D,带有VISHAY制造的电路图。GP30D在DO-201AD封装中提供,是IC芯片的一部分。