9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的V12P45-M3/86A,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。V12P45-M3/86A参考价格为0.37967美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division V12P45-M3/86A封装/规格:DIODE SCHOTTKY 45V 4.3A TO277A。您可以下载V12P45-M3/86A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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V12P12-M3/86A是DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A,包括eSMPR、TMBSR系列,它们设计用于肖特基整流器产品,包装如数据表说明所示,用于Digi-ReelR替代包装,提供单位重量功能,如0.003527盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及TMBS商品名,该设备也可以用作TO-277、3-PowerDFN封装盒。此外,该技术为Si,该器件为表面安装型,该器件具有供应商器件封装的TO-277A(SMPC),配置为单双阳极,速度为快速恢复=20mA(Io),二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为500μa@120V,电压正向Vf Max If为800mV@12A,电压DC反向Vr Max为120V,电流平均整流Io为12A,工作温度结范围为-40°C~150°C,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-40 C,Vf正向电压为0.8 V,Ir反向电流为500 uA,如果正向电流为12 A,Vrm重复反向电压为120V,Ifsm正向浪涌电流为150A。
V12P12-M3/87A是DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A,包括800mV@12A电压正向Vf Max。如果设计为在120V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于to-277A(SMPC)的供应商设备包,该产品提供快速恢复=20mA(Io)等速度特性,该系列设计用于eSMPR、TMBSR、,除了磁带和卷轴(TR)交替包装外,该器件还可以用作TO-277、3功率DFN封装盒,其工作温度结范围为-40°C~150°C,该器件为表面安装型,该器件具有二极管肖特基型,电流反向泄漏Vr为500μa@120V,电流平均整流Io为12A。
V12P20-M3/86A,带有VISHAY制造的电路图。V12P20-M3/86A采用TO-277A(SMPC)封装,是IC芯片的一部分。