9icnet为您提供由Semtech Corporation设计和生产的1N6643US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N6643美国参考价格14.88000美元。Semtech Corporation 1N6643US包装/规格：3A ULTRA FAST 75V。您可以下载1N6643US英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N6642US是DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D，包括散装封装，设计用于SQ-MELF，D封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如D-5D，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件也可以用作500nA@75V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.2V@100mA，该器件提供75V电压直流反向Vr Max，该器件具有300mA电流平均整流Io，反向恢复时间trr为5ns，电容Vr F为5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
1N6640US是DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D，包括1V@200mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在75V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于D-5D的供应商设备包，其提供快速恢复=200mA（Io）、反向恢复时间trr设计为在4ns内工作等速度特性，该器件也可用作SQ-MELF，D封装盒，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@50V，电流平均整流Io为300mA（DC）。
1N6642U是DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D，包括300MA电流平均整流Io，它们设计为在75V电流反向泄漏Vr下工作500μa，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及SQ-MELF，D封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为5ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的D-5D，电压DC反向Vr Max为75V，电压正向Vf Max If为800mV@10mA。
