9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JAN1N5554US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2014年1月1日美国参考价格9.67780美元。Microchip Technology JAN1N5554US包装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B。您可以下载JAN1N5554美国英语数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JAN1N5554是DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL，包括军用MIL-PRF-19500/420系列，它们设计用于散装包装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供B、轴向等封装外壳功能，安装类型设计用于通孔，以及标准恢复>500ns、>200mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@1000V，该器件提供1.3V@9A电压正向Vf Max If，该器件具有1000V（1kV）电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为2μs，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
JAN1N5553是DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL，包括1.3V@9A电压正向Vf Max。如果它们设计为在800V电压直流反向Vr Max下工作，速度如数据表注释所示，用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），提供军用、MIL-PRF-19500/420等系列功能，反向恢复时间trr设计为2μs，除了散装封装外，该器件还可以用作B轴封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件采用SMD/SMT安装方式，该器件具有安装类型的通孔，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1μa@800V，电流平均整流Io为3A。
JAN1N5553US带有电路图，包括3A电流平均整流Io，它们设计为在1μa@800V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供表面安装等安装类型功能，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该装置也可用作SQ-MELF、B包装箱。此外，包装为散装，该设备提供2μs反向恢复时间trr，该设备具有军用MIL-PRF-19500/420系列，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为D-5B，直流反向电压Vr最大值为800V，正向电压Vf最大值为1.3V@9A。
