9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的UFS140JE3/TR13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UFS140JE3/TR13参考价格为0.84000美元。Microchip Technology UFS140JE3/TR13包装/规格：DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA。您可以下载UFS140JE3/TR13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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UFS120JE3/TR13是DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于与DO-214AA、SMB封装盒一起操作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如DO-214BA，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作5μA@200V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为950mV@1A，该器件提供200V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有1A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为30ns，其工作温度结范围为-55°C~175°C。
UFS130JE3/TR13带有用户指南，包括1.1V@1A电压正向Vf Max。如果设计为在300V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-214BA中使用的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为50ns，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可用作DO-214AA、SMB封装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@300V，电流平均整流Io为1A。
UFS140JE3/TR13带有电路图，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在10μa@400V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装类型功能，如表面安装，其工作温度结区范围为-55°C~175°C，以及DO-214AA，SMB封装外壳，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，反向恢复时间trr为50ns，设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，设备具有DO-214BA供应商设备包，电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A。
UFS120J-T，带有MICRO制造的EDA/CAD模型。UFS120J-T采用SMB封装，是IC芯片的一部分。
