9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ES1PBHM3/84A,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。ES1PBHM3/84A参考价格为0.17289美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ES1PBHM3/84A封装/规格:DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA。您可以下载ES1PBHM3/84A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ES1PBHE3/84A是DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA,包括eSMPR系列,它们设计用于磁带和卷轴(TR)包装,包装箱如数据表注释所示,用于DO-220AA,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备包装设计用于DO-220A(SMP),以及快速恢复=20mA(Io)速度,该器件也可以用作标准二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为5μA@100V,该器件提供920mV@1A电压正向Vf Max。如果,该器件具有100V电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为1A,反向恢复时间trr为25ns,电容Vr F为10pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
ES1PBHE3/85A是DIODE GEN PURP 100V 1A DO220AA,包括920mV@1A正向电压Vf Max。如果它们设计用于100V直流反向电压Vr Max,供应商设备包如数据表注释所示,用于DO-220AA(SMP),提供快速恢复=20mA(Io)等速度特性,系列设计用于eSMPR,以及25ns反向恢复时间trr,该设备也可以用作磁带和卷轴(TR)包装。此外,封装外壳为DO-220AA,其工作温度结范围为-55°C~150°C,器件具有安装型表面安装,二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为5μa@100V,电流平均整流Io为1A,电容Vr F为10pF@4V,1MHz。
ES1PB-E3-84A,带有VISHAY制造的电路图。ES1PB-E3-84A采用SMP封装,是IC芯片的一部分。