9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BAT42W-HE3-18,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BAT42W-HE3-18参考价格0.06477美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BAT42W-HE3-18封装/规格:DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123。您可以下载BAT42W-HE3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAT42W-G3-18,带引脚细节,包括汽车、AEC-Q101系列,它们设计用于肖特基二极管产品,包装如数据表注释所示,用于磁带和卷轴(TR)替代包装,提供零件别名功能,如BAT42W-V-G-18,单位重量设计为0.000363盎司,以及SMD/SMT安装样式,该装置也可用作SOD-123包装箱。此外,该技术为Si,该器件为表面安装安装型,该器件具有供应商器件封装的SOD-123,配置为单一,速度为小信号=,二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为500nA@25V,电压正向Vf Max If为650mV@50mA,电压反向Vr Max为30V,电流平均整流Io为200mA(DC),反向恢复时间trr为5ns,电容Vr F为7pF@1V,1MHz,工作温度结范围为125°C(最大值),Pd功耗为200mW,最大工作温度范围为+125 C,最小工作温度范围-55 C,Vf正向电压为650 mV,Ir反向电流为0.5uA,If正向电流为200mA,Vrm重复反向电压为30V,Ifsm正向浪涌电流为4A,trr反向恢复时间为5ns。
BAT42W-HE3-08是DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123,包括30V Vrm重复反向电压,它们设计为在650mV@50mA电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于30V的电压直流反向Vr Max,其提供了650 mV等Vf正向电压特性,单位重量设计为工作在0.000363盎司,该器件还可以用作Si技术。此外,供应商设备包装为SOD-123,该设备以小信号=速度提供,该设备具有自动AEC-Q101系列,反向恢复时间trr为5ns,产品为肖特基二极管,Pd功耗为200mW,包装为磁带和卷轴(TR)交替包装,包装箱为SOD-13,它的工作温度结范围为125°C(最大),安装类型为SMD/SMT,安装类型是表面安装,最小工作温度范围为-55 C,最大工作温度范围+125 C,Ir反向电流为0.5 uA,Ifsm正向浪涌电流为4 A,如果正向电流为200 mA,二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为500nA@25V,电流平均整流Io为200mA(DC),配置为单一,电容Vr F为7pF@1V,1MHz。
BAT42W-GS08,带有VISHAY制造的电路图。BAT42W-GS08采用SOD123封装,是IC芯片的一部分。