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JATX1N5802URS，带引脚细节，包括军用MIL-PRF-19500/477系列，设计用于散装包装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SQ-MELF、a等封装盒功能，安装类型设计用于表面安装，以及a-MELF供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，二极管类型为标准型，该器件提供1μA@50V电流反向泄漏Vr，该器件的正向电压Vf Max If为875mV@1A，直流反向电压Vr Max为50V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为25ns，电容Vr F为25pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
JATX1N5802US是DIODE GEN PURP 50V 1A D5A，包括875mV@1A正向电压Vf Max。如果设计为在50V电压DC反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了D-5A中使用的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/477，以及25ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作散装包装。此外，封装外壳为SQ-MELF，A，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件具有安装型SMD/SMT，安装类型为表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μA@50V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为25pF@10V，1MHz。
JATX1N5802是DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL，包括25pF@10V，1MHz电容Vr F，设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@50V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，以及通孔安装类型，其工作温度结范围为-65°C~175°C。此外，包装箱为A，轴向，装置为散装包装，装置具有25ns的反向恢复时间trr，系列为军用，MIL-PRF-19500/477，速度为快速恢复=20mA（Io），电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为875mV@1A。
