9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BAS86-M-08,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BAS86-M-08价格参考0.06547美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BAS86-M-08封装/规格:DIODE SCHOTTKY 50V 200MA SOD80。您可以下载BAS86-M-08英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAS86-GS08是DIODE SCHOTTKY 50V 200MA SOD80,包括汽车AEC-Q101系列,设计用于肖特基二极管产品,包装如数据表注释所示,用于磁带和卷轴(TR)替代包装,提供单位重量功能,如0.001827盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80包装箱,该器件也可以用作Si技术。此外,安装类型为表面安装,该设备采用SOD-80 MiniMELF供应商设备包提供,该设备具有单一配置,速度为小信号=,二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为5μa@40V,电压正向Vf Max If为900mV@100mA,电压反向Vr Max为50V,电流平均整流Io为200mA,反向恢复时间trr为5ns,电容Vr F为8pF@1V,1MHz,其工作温度结范围为125°C(最大值),其最大工作温度范围为+125 C,其最小工作温度范围是-65 C,Vf正向电压在0.1 A时为0.9 V,Ir反向电流在40 V时为5 uA,如果正向电流为0.2 A,Vrm重复反向电压为50V,trr反向恢复时间为5ns。
BAS86-GS18是DIODE SCHOTTKY 50V 200MA SOD80,包括50 V Vrm重复反向电压,它们设计为在900mV@100mA电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于50V的电压直流反向Vr Max,它提供了0.1 a时0.9 V的正向电压特性,单位重量设计为0.001827盎司,该器件还可以用作Si技术。此外,供应商设备包装为SOD-80 MiniMELF,该设备以小信号=速度提供,该设备具有自动AEC-Q101系列,反向恢复时间trr为5ns,产品为肖特基二极管,包装为胶带和卷轴(TR)交替包装,包装箱为DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80、,它的工作温度结范围为125°C(最大值),安装类型为SMD/SMT,安装类型是表面安装,最小工作温度范围为-65 C,最大工作温度范围+125 C,Ir反向电流在40 V时为5 uA,如果正向电流为0.2 A,二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为5μA@40V,电流平均整流Io为200mA,配置为单,电容Vr F为8pF@1V,1MHz。
BAS86115是DIODE SCHOTTKY 50V 200MA LLDS,包括8pF@1V、1MHz电容Vr F,设计用于200MA(DC)电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于5μa@40V,提供肖特基等二极管类型功能,安装类型设计用于表面安装,它的工作温度结范围为125°C(最大值),该器件也可以用作DO-213AC、MINI-MELF、SOD-80封装盒。此外,包装为Digi-ReelR替代包装,设备以4ns反向恢复时间trr提供,设备具有小信号=速度,供应商设备包装为LLDS;MiniMelf,电压DC反向Vr Max为50V,电压正向Vf Max If为900mV@100mA。