9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SE20DJHM3/I,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SE20DJHM3/I价格参考1.26000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SE20DJHM3/I封装/规格:DIODE GEN PURP 600V 3.9A TO263AC。您可以下载SE20DJHM3/I英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SE20DGHM3/I,带引脚细节,包括Automotive、AEC-Q101、eSMPR系列,它们设计用于标准回收整流器产品,包装如数据表注释所示,用于Digi-ReelR替代包装,提供单位重量功能,如0.019048盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及eSMP商品名,它的工作温度范围为-55 C至+175 C。此外,封装外壳为to-263-3,D2Pak(2引线+接线片)变体,该器件为表面安装安装型,该器件具有供应商器件封装的to-263AC(SMPD),配置为单一,速度为标准恢复>500ns,>200mA(Io),二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为25μA@400V,电压正向Vf Max If为1.2V@20A,电压直流反向Vr Max为400V,电流平均整流Io为3.9A,反向恢复时间trr为3μs,电容Vr F为150pF@4V,1MHz,工作温度结范围为-55°C ~ 175°C,最大工作温度范围为+175 C,其最小工作温度范围为-55℃,Vf正向电压为1.1 V,Vr反向电压为400 V,Ir反向电流为25 uA,If正向电流为20 A,最大浪涌电流为150 A,恢复时间为3 us。
带有用户指南的SE20DD-M3/I,包括1.2V@20A电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于to-263AC(SMPD)的供应商设备包,该产品提供速度特性,如标准恢复>500ns,>200mA(Io)。该系列设计用于汽车、AEC-Q101、eSMPR、,以及3μs反向恢复时间trr,该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装。此外,封装外壳为TO-263-3,D2Pak(2引线+接线片)变体,其工作温度结范围为-55°C~175°C,器件具有安装型表面安装,二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为25μa@200V,电流平均整流Io为3.9A,电容Vr F为150pF@4V,1MHz。
SE20DG-M3/I带有电路图,包括150pF@4V、1MHz电容Vr F,它们设计用于3.9A电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于25μa@400V,提供二极管类型功能,如标准,安装类型设计用于表面安装,它的工作温度结范围为-55°C~175°C,该器件也可以用作TO-263-3、D2Pak(2引线+接线片)变型封装盒。此外,包装为Digi-ReelR替代包装,该设备以3μs反向恢复时间trr提供,该设备具有Automotive、AEC-Q101、eSMPR系列,速度为标准恢复>500ns、>200mA(Io),供应商设备包装为TO-263AC(SMPD),电压DC反向Vr Max为400V,电压正向Vf Max If为1.2V@20A。