9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATX1N1202AR,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。JATX1N1202AR参考价格36.27000美元。Microchip Technology JATX1N1202AR封装/规格:DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA。您可以下载JATX1N1202AR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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JATX1N1202A是DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA,包括军用MIL-PRF-19500/260系列,它们设计用于散装包装,数据表注释中显示了用于DO-203AA、DO-4、螺柱的包装箱,提供螺柱安装等安装类型功能,供应商设备包设计用于DO-203A,以及快速恢复=20mA(Io)速度,该器件也可以用作标准二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为5μA@200V,该器件提供2.3V@240A电压正向Vf Max。如果,该器件具有200V电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为12A,其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
JATX1N1190是DIODE GEN PURP 600V 35A DO5,包括1.4V@110A正向电压Vf Max。如果设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行,供应商设备包如数据表注释所示,用于DO-5,提供快速恢复=20mA(Io)等速度特性,该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/297,以及散装包装,该装置也可以用作DO-203AB、DO-5、螺柱封装外壳,其工作温度结范围为-65°C~175°C,该装置为螺柱安装型,该装置具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为10μa@600V,电流平均整流Io为35A。
JATX1N1190R是二极管GEN PURP 600V 35A DO5,包括35A电流平均整流Io,它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作10μa,二极管类型如数据表注释所示,可用于标准中,该标准提供安装型功能,如螺柱安装,其工作温度结范围为-65°C~175°C,以及DO-203AB、DO-5,螺柱包装箱,该设备也可以用作散装包装。此外,该系列为军用MIL-PRF-19500/297,该设备提供快速恢复=20mA(Io)速度,该设备具有DO-5供应商设备包,直流反向电压Vr Max为600V,正向电压Vf Max If为1.4V@110A。