9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JANS13640US/TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1月1640美元/TR参考价格36.43500美元。Microchip Technology JANS1N6640US/TR封装/规格：开关。您可以下载JANS1N6640US/TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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JANS1N638是DIODE GEN PURP 125V 300MA DO204，包括军用MIL-PRF-19500/578系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了DO-204AH、DO-35、轴向安装型，具有通孔、速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管型，该器件也可以用作500nA@125V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，该器件提供125V电压直流反向Vr Max，该器件具有300mA电流平均整流Io，反向恢复时间trr为4.5ns，电容Vr F为2.5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
带有用户指南的JANS1N6640，包括1V@200mA电压正向Vf Max。如果设计为在50V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于快速恢复=200mA（Io）的速度，提供了军用、MIL-PRF-19500/609等系列功能，反向恢复时间trr设计为4ns，该器件也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@50V，电流平均整流Io为300mA。
带有电路图的JANS1N632US，包括300μA@1V电流反向泄漏Vr，其设计为在3欧姆阻抗最大Zzt下工作，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，其工作温度范围为-65°C ~ 175°C，包装箱设计为在E、轴向和散装包装中工作，该设备也可作为5W最大功率使用。此外，该系列为军用MIL-PRF-19500/356，该设备采用E轴向供应商设备包，该设备具有±5%的公差，电压正向Vf Max If为1.5V@1A，电压齐纳标称Vz为3.3V。
JANS1N636US，带EDA/CAD型号，包括通孔安装型，设计用于军用MIL-PRF-19500/356系列，数据表注释中显示了用于E、轴向的包装箱，提供了E、轴向等供应商设备包装功能。包装设计用于散装，其工作温度范围为-65°C~175°C，该器件还可以用作5W功率最大值。此外，电压齐纳标称Vz为4.7V，该器件提供20μA@1V电流反向泄漏Vr，该器件具有2欧姆阻抗最大Zzt，电压正向Vf最大If为1.5V@1A，公差为±5%。
