9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的MUR2540R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MUR2540R参考价格为10.83644美元。GeneSiC半导体MUR2540R封装/规格：DIODE GEN PURP REV 400V 25A DO4。您可以下载MUR2540R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MUR2520R是DIODE GEN PURP REV 200V 25A DO4，包括MUR25系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如0.246918盎司，安装方式设计用于通孔，以及DO-203AA、DO-4、螺柱包装箱，该设备也可以用作底盘、螺柱安装型。此外，供应商设备包为DO-4，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有标准二极管型反向极性，电流反向泄漏Vr为10μa@50V，电压正向Vf Max If为1V@25A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为25A，反向恢复时间trr为75ns，其工作温度结范围为-55°C~150°C，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为10 uA，If正向电流为25 A，最大浪涌电流为500 A。
MUR2540是DIODE GEN PURP 400V 25A DO4，包括400 V Vr反向电压，它们设计为在1.3V@25A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于400V的电压直流反向Vr Max，提供了1.3 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.246918盎司，以及DO-4供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为MUR25，该设备提供75ns反向恢复时间trr，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为散装，包装箱为DO-203AA、DO-4、螺柱，其工作温度接合范围为-55°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为底盘、螺柱安装，最大浪涌电流为500A，Ir反向电流为10uA，If正向电流为25A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@50V，电流平均整流Io为25A。
MUR2520是DIODE GEN PURP 200V 25A DO4，包括25A电流平均整流Io，它们设计为在10μa@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，该标准提供了如25A、Ir反向电流等正向电流功能，设计为在10uA下工作，以及500A最大浪涌电流，该设备也可以用作底盘、螺柱安装型。此外，安装类型为通孔，其工作温度结范围为-55°C~150°C，设备具有DO-203AA、DO-4、包装箱螺柱，包装为散装，产品为超快恢复整流器，反向恢复时间trr为75ns，系列为MUR25，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包为DO-4，单位重量为0.246918oz，Vf正向电压为1V，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1V@25A，Vr反向电压为200V。
