9icnet为您提供由Semtech Corporation设计和生产的JATX1N6643US,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。JATX1N6643美国参考价格18.53000美元。Semtech Corporation JANTX1N6643美国包装/规格:3A ULTRA FAST 75V。您可以下载JATX1N6643US英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JANTX1N6643是DIODE GEN PURP 125V 300MA AXIAL,包括军用MIL-PRF-19500/578系列,它们设计用于散装包装,包装箱如数据表注释所示,用于轴向,提供安装型功能,如通孔,供应商设备包装设计用于05塑料包装,以及快速恢复=20mA(Io)速度,该器件也可以用作标准二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为50nA@220V,器件提供1.2V@100mA电压正向Vf Max。如果,器件具有125V电压反向Vr Max,电流平均整流Io为300mA,反向恢复时间trr为6ns,电容Vr F为5pF@0V,1MHz,其工作温度结范围为-65°C~175°C。
JATX1N6642US是DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D,包括1.2V@100mA电压正向Vf Max。如果设计为在75V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于D-5D的供应商设备包,其提供快速恢复=200mA(Io)等速度特性,该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/578,以及5ns反向恢复时间trr,该设备也可以用作散装包装。此外,封装外壳为SQ-MELF,D,其工作温度结范围为-65°C~175°C,器件具有安装型表面安装,二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为500nA@75V,电流平均整流Io为300mA,电容Vr F为5pF@0V,1MHz。
JATX1N6643U是DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF,包括300MA(DC)电流平均整流Io,它们设计为在500nA@50V电流反向泄漏Vr下工作,二极管类型如数据表注释所示,用于标准中,该标准提供了表面安装等安装类型功能,其工作温度结范围为-65°C~175°C,以及SQ-MELF,B包装箱,该设备也可用作散装包装。此外,反向恢复时间trr为20ns,该设备在军用MIL-PRF-19500/578系列中提供,该设备的速度快速恢复=200mA(Io),供应商设备包为D-5B,电压DC反向Vr Max为50V,电压正向Vf Max If为1.2V@100mA。