9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATXV1N5811US/TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATXV1N5811US/TR参考价格11.88000美元。微芯片技术JATXV1N5811US/TR包装/规格：整流器UFR、FRR。您可以下载JATXV1N5811US/TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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JATXV1N5811是DIODE GEN PURP 150V 3A AXIAL，包括军用MIL-PRF-19500/477系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供安装类型功能，如通孔，其工作温度范围为-65 C至+175 C，以及B，轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该器件采用标准二极管类型，该器件在150V时电流反向泄漏Vr为5μa，电压正向Vf Max If为875mV@4A，电压直流反向Vr Max为150V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为30ns，电容Vr F为65pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-65℃，Vf正向电压为875 mV，Vr反向电压为150 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为125 A，最大浪涌电流为125 B，恢复时间为30 ns。
JATXV1N5809US带有用户指南，其中包括100 V Vr反向电压，它们设计为以875mV@4A电压正向Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于100V的电压直流反向Vr Max，提供了875mV等Vf正向电压特性，供应商设备包设计为在B、SQ-MELF以及快速恢复=20mA（Io）速度下运行，该装置也可以用作军用MIL-PRF-19500/477系列。此外，反向恢复时间trr为30ns，该设备在30ns恢复时间内提供，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为散装，包装箱为SQ-MELF，B，其工作温度结范围为-65°C~175°C，安装类型为表面安装，其最低工作温度范围为-65C，最大浪涌电流为125 A，其最大工作温度范围为+175 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为6 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@100V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为60pF@10V，1MHz。
带有电路图的JATXV1N5811URS，包括60pF@10V、1MHz电容Vr F，设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@150V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，以及SMD/SMT安装类型，其工作温度结范围为-65°C~175°C。此外，包装箱为SQ-MELF，B，该设备为散装包装，该设备具有30ns的反向恢复时间trr，系列为军用，MIL-PRF-19500/477，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为B，SQ-MELL，电压DC反向Vr Max为150V，电压正向Vf Max If为875mV@4A。
