9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATXV1N5551US/TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATXV1N5551US/TR参考价格15.45000美元。微芯片技术JATXV1N5551US/TR包装/规格：STD整流器。您可以下载JATXV1N5551US/TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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JATXV1N5550US，带引脚细节，包括军用MIL-PRF-19500/420系列，它们设计用于散装包装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SQ-MELF、B等封装盒功能，安装类型设计用于表面安装，以及D-5B供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，二极管类型为标准型，器件提供1μA@200V电流反向泄漏Vr，器件具有1.2V@9A电压正向Vf Max If，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为5A，反向恢复时间trr为2μs，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
JATXV1N5550是DIODE GEN PURP 200V 5A AXIAL，包括1.2V@9A电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下工作，速度如数据表注释所示，用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），提供军用、MIL-PRF-19500/420等系列功能，反向恢复时间trr设计为2μs，除了散装包装外，该器件还可以用作B轴封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件采用通孔安装方式，该器件具有安装类型的通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μa@200V，电流平均整流Io为5A。
带有电路图的JATXV1N5546DUR-1，包括10nA@29.7V电流反向泄漏Vr，它们设计为在1.7 mm直径下工作，阻抗最大值Zzt如数据表注释所示，用于100 Ohm，提供3.7 mm等长度特性，安装类型设计用于表面安装，以及SMD/SMT安装样式，其工作温度范围为-65°C~175°C。此外，包装箱为DO-213AA（玻璃），装置采用散装包装，装置最大功率为500mW，系列为军用MIL-PRF-19500/437，供应商装置包装为DO-213A，公差为±1%，单位重量为0.001270盎司，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，电压齐纳标称Vz为33V。
