9icnet为您提供由Semtech Corporation设计和生产的JATX1N5809US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATX1N5809美国参考价格15.47152美元。Semtech Corporation JANTX1N5809US包装/规格：D MET 6A SFST 100V HR。您可以下载JANTX1N8809US英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的东西，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如JATX1N5809美国价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
JATX1N5809是DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL，包括军用MIL-PRF-19500/477系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表说明所示，用于散装，提供安装类型功能，如通孔，其工作温度范围为-65 C至+175 C，以及B，轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该器件为标准二极管类型，该器件具有5μa@100V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为875mV@4A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为30ns，电容Vr F为60pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-65℃，Vf正向电压为875 mV，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为125 A，最大浪涌电流为125 B，恢复时间为30 ns。
JATX1N5809URS，带有用户指南，包括875mV@4A电压正向Vf Max，如果设计用于100V电压直流反向Vr Max，则供应商设备包如数据表注释所示，用于B、SQ-MELF，提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/477，以及30ns反向恢复时间trr，该装置也可以用作散装包装。此外，封装外壳为SQ-MELF，B，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件具有安装型SMD/SMT，安装类型为表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为60pF@10V，1MHz。
JATX1N5807US是DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF，包括60pF@10V，1MHz电容Vr F，设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@50V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，以及SMD/SMT安装类型，其工作温度结范围为-65°C~175°C。此外，包装箱为SQ-MELF，B，该设备为散装包装，该设备具有30ns的反向恢复时间trr，系列为军用，MIL-PRF-19500/477，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为B，SQ-MELL，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为875mV@4A。
