9icnet为您提供由Semtech Corporation设计和生产的JAN1N6638US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JAN1N6638美国参考价格15.55848美元。Semtech Corporation JAN1N6638美国包装/规格：3A ULTRA FAST 115V。您可以下载JAN1N6638美国英语数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JAN1N6631US带有引脚细节，包括军用MIL-PRF-19500/590系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了用于SQ-MELF，E的包装盒，该包装盒提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包装设计用于D-5B，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr在1100V时为4μA，器件提供1.6V@1.4A电压正向Vf Max。如果，器件具有1100V（1.1kV）电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1.4A，反向恢复时间trr为60ns，电容Vr F为40pF@10V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
JAN1N6638U是DIODE GEN PURP 150V 300MA B-MELF，包括1.1V@200mA正向电压Vf Max。如果它们设计为在150V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于D-5B的供应商设备包，该设备提供快速恢复=200mA（Io）等速度特性，该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/578，以及20ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作散装包装。此外，封装外壳为SQ-MELF，B，其工作温度结范围为-65°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为500nA@150V，电流平均整流Io为300mA，电容Vr F为2.5pF@0V，1MHz。
JAN1N6638带有电路图，包括2.5pF@0V、1MHz电容Vr F，它们设计为在300mA电流平均整流Io下工作，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于500nA@150V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计为在通孔中工作，它具有-65°C~175°C的工作温度连接范围，该设备也可以用作D，轴向封装外壳。此外，包装为散装，该设备提供20ns反向恢复时间trr，该设备具有军用MIL-PRF-19500/578系列，速度为快速恢复=20mA（Io），电压DC反向Vr Max为150V，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA。
