9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的AS3PM-M3/86A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AS3PM-M3/86A参考价格为0.30360美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division AS3PM-M3/86A封装/规格：DIODE AVLANCHE 1KV 2.1A TO277。您可以下载AS3PM-M3/86A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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AS3PMHM3_A/H，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101、eSMPR系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装一起工作，数据表注释中显示了用于to-277、3-PowerDFN的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在to-277A（SMPC）中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作雪崩二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为10μA@1000V，该器件提供1.1V@3A电压正向Vf Max If，该器件具有1000V（1kV）电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为2.1A，反向恢复时间trr为1.2μs，电容Vr F为37pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
AS3PMHM3_A/I，带有用户指南，包括1.1V@3A正向电压Vf Max。如果它们设计用于1000V（1kV）直流反向电压Vr Max，则数据表说明中显示了用于to-277A（SMPC）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、eSMPR、，除了1.2μs反向恢复时间trr，该设备还可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装。此外，封装外壳为TO-277，3-PowerDFN，其工作温度结范围为-55°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为10μa@1000V，电流平均整流Io为2.1A，电容Vr F为37pF@4V，1MHz。
AS3PMHM3/87A，带电路图，包括37pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于2.1A（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@1000V，提供雪崩等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件也可用作TO-277，3-PowerDFN封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供1.2μs反向恢复时间trr，设备具有系列eSMPR，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包装为TO-277A（SMPC），电压直流反向Vr最大值为1000V（1kV），电压正向Vf最大值If为920mV@1.5A。
