9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UGB8FT-E3/81,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。UGB8FT-E3/81参考价格为0.73944美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division UGB8FT-E3/81包装/规格:DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB。您可以下载UGB8FT-E3/81英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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UGB8DT-E3/81是DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB,其中包括超快恢复整流器产品,它们设计为与磁带和卷轴(TR)交替包装包装一起工作。数据表注释中显示了用于UGB8DT-E3/45的零件别名,该UGB8DT/E3/45提供单位重量功能,例如0.063493盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及to-263-3,D2Pak(2引线+接线片),TO-263AB封装盒,该设备也可用作表面安装型。此外,供应商设备包为TO-263AB,该设备采用单双阴极配置,该设备速度快速恢复=200mA(Io),二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为10μa@200V,电压正向Vf Max If为1V@8A,电压直流反向Vr Max为200V,电流平均整流Io为8A,反向恢复时间trr为30ns,工作温度结范围为-55°C~150°C,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,20 A时Vf正向电压为1.2 V,Vr反向电压为200 V,Ir反向电流为10 uA,如果正向电流为8 A,最大浪涌电流为150A,恢复时间为30ns。
UGB8DTHE3/81是DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB,包括1V@8A正向电压Vf Max。如果设计为在200V电压DC反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于to-263AB的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)、反向恢复时间trr设计为30ns、,除了磁带和卷轴(TR)交替包装外,该器件还可以用作TO-263-3、D2Pak(2引线+接线片)、TO-263AB封装盒,其工作温度结范围为-55°C~150°C,该器件为表面安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为10μa@200V,并且电流平均整流Io为8A。
UGB8DTHE3/45是DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB,包括8A电流平均整流Io,它们设计为在200V电流反向泄漏Vr下工作10μa,二极管类型如数据表注释所示,用于标准中,该标准提供了表面安装等安装类型功能,其工作温度结范围为-55°C~150°C,以及to-263-3,D2Pak(2引线+标签),TO-263AB包装盒,该设备也可作为管替代包装包装使用。此外,反向恢复时间trr为30ns,该设备以快速恢复=20mA(Io)速度提供,该设备具有供应商设备包的TO-263AB,电压DC反向Vr Max为200V,电压正向Vf Max If为1V@8A。