9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N6481-E3/97,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。1N6481-E3/97参考价格为0.12558美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N6481-E3/97包装/规格:DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB。您可以下载1N6481-E3/97英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N648-1是DIODE GEN PURP 500V 400MA DO35,包括标准回收整流器产品,它们设计用于散装包装,安装类型如数据表注释所示,用于通孔,其工作温度范围为-65 C至+175 C,包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及通孔安装类型,该设备也可以用作DO-35供应商设备包。此外,速度为标准恢复>500ns,>200mA(Io),该器件为标准二极管类型,该器件具有50nA@500V的反向漏电Vr,正向电压Vf Max If为1V@400mA,直流反向电压Vr Max为500V,平均整流电流Io为400mA,其工作温度结范围为-65°C~175°C,Pd功耗为500mW,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围是-65 C,Vf正向电压为1 V,Vr反向电压为500 V,Ir反向电流为200 mA,如果正向电流为400 mA,最大浪涌电流为5 A。
1N6481-E3/96是DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB,包括400 V Vr反向电压,它们设计为在1.1 V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于400V的电压直流反向Vr Max,提供1.1 V正向电压特性,单位重量设计为0.004762盎司,以及DO-213AB供应商设备包,该设备还可以用作标准恢复>500ns,>200mA(Io)速度。此外,该系列是SUPERECTIERR,该设备在标准回收整流器产品中提供,该设备具有Digi-ReelR替代包装,包装箱为DO-213AB,MELF(玻璃),其工作温度结范围为-65°C~175°C,安装方式为SMD/SMT,安装类型为表面安装,它的最小工作温度范围为-65℃,最大浪涌电流为30 A,最大工作温度范围+175℃,Ir反向电流为10 uA,如果正向电流为1 A,二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为10μA@400V,电流平均整流Io为1A,配置为单一,电容Vr F为8pF@4V,1MHz。
1N6481带有TW制造的电路图。1N6481采用SMD封装,是二极管、整流器-单体的一部分。