9icnet为您提供由Semtech Corporation设计和生产的1N6080，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N6080参考价格31.50000美元。Semtech Corporation 1N6080包装/规格：DIODE GEN PURP 100V 5A AXIAL。您可以下载1N6080英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N6079是DIODE GEN PURP 50V 2A AXIAL，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于轴向，其工作温度范围为-65 C至+150 C，包装箱设计用于a、轴向以及通孔安装型，该设备也可以用作单一配置。此外，速度快恢复=200mA（Io），该器件为标准二极管类型，该器件具有10μa@50V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为1.5V@37.7A，电压直流反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为30ns，其工作温度结范围为-65°C ~ 155°C，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-65℃，Vf正向电压为970 mV，Vr反向电压为50 V，Ir反向电流为500 uA，如果正向电流为5 A，最大浪涌电流为175 A，恢复时间为30 ns。
1N6079US，带用户指南，包括1.5V@37.7A正向电压Vf Max。如果设计为在50V直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了G-MELF（D-5C）中使用的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，反向恢复时间trr设计为在30ns内工作，该器件也可作为SQ-MELF、G封装盒使用，其工作温度结范围为-65°C~155°C，该器件采用SMD/SMT安装方式，该器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为10μa@50V，电流平均整流Io为2A。
1N6078US，带电路图，包括6A电流平均整流Io，它们设计为在150V电流反向泄漏Vr下工作5μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供表面安装等安装类型功能，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，其工作温度结范围为-65°C~155°C，该设备也可以用作E-MELF包装盒。此外，包装是散装的，该设备以30ns反向恢复时间trr提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装是D-5B，电压DC反向Vr Max为150V，电压正向Vf Max If为1.76V@18.8A。
