9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-VSKE236/04PBF,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-VSKE236/04PBF参考价格为54.35267美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-VSKE236/04PBF封装/规格:DIODE GEN PURP 400V 230A INTAPAK。您可以下载VS-VSKE236/04PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如VS-VSKE236/04PBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
VS-VSKE196/12PBF是DIODE GEN 1.2KV 195A INTAPAK,包括VS-VSK.196..PbF系列,它们设计用于散装包装,数据表注释中显示了用于VSKE196/12PBF的零件别名,该产品提供单位重量功能,如7.054792盎司,安装样式设计用于机箱,以及195 a额定电流,该装置也可用作INT-A-PAK(3)包装盒。此外,安装类型为底盘安装,该设备在INT-A-PAK供应商设备包中提供,该设备的标准恢复时间大于500ns,速度大于200mA(Io),电路类型为二极管,二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为20mA@1200V,电压反向Vr最大值为1200V(1.2kV),电流平均整流Io为195A,其工作温度结范围为-40°C~150°C,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-40 C,击穿电流IBO Max为4980 A,额定重复断开状态电压VDRM为1.2 kV,导通状态RMS电流it RMS为305 A,非重复导通状态电流为4750 A,并且关断状态泄漏电流VDRM IDRM为20mA,并且接通状态电压为1.38V。
VS-VSKE196/16PBF是DIODE GEN 1.4KV 195A INTAPAK,包括1400V(1.4KV)电压DC反向Vr Max,设计用于7.054792 oz单位重量的操作。数据表中显示了用于INT-a-PAK的供应商设备包,其提供速度特性,如标准恢复>500ns,>200mA(Io),系列设计用于VS-VSK.196..PbF,该设备还可以用作VSKE196/16PBF部件别名。此外,包装为散装,该设备采用INT-A-PAK(3)包装箱,其工作温度结范围为-40°C~150°C,通态电压为1.38 V,通态RMS电流为305 A,关态泄漏电流VDRM IDRM为20 mA,非重复通态电流为4750 A,安装类型为机箱,安装类型为底盘安装,最低工作温度范围为-40℃,最高工作温度范围+150℃,二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为20mA@1400V,电流额定值为195 A,电流平均整流Io为195A,电路类型为二极管,击穿电流IBO最大值为4980 A。
VS-VSKE196/08PBF是DIODE GEN PURP 800V 195A INTAPAK,包括4980 A最大击穿电流IBO,它们设计用于二极管电路类型,电流平均整流Io如数据表注释所示,用于195A,提供195 A等额定电流特性,电流反向泄漏Vr设计用于20mA@800V,以及标准二极管类型,其最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围-40℃,该设备为底盘安装安装型,该设备具有安装型底盘,非重复开启状态电流为4750 a,关闭状态泄漏电流VDRM IDRM为20 mA,开启状态RMS电流it RMS为305 a,开启状态电压为1.38 V,其工作温度结范围为-40°C~150°C,包装箱为INT-A-PAK(3),包装为散装,零件别名为VSKE196/08PBF,额定重复关断电压VDRM为800V,系列为VS-VSK.196..PbF,速度为标准恢复>500ns,>200mA(Io),供应商设备包装为INT-A-A-PAK,单位重量为7.054792盎司,电压DC反向Vr Max为800V。