9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的MURH10010，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MURH10010参考价格50.46926美元。GeneSiC半导体MURH10010封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 100A D-67。您可以下载MURH10010英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MURF860G是二极管GEN PURP 600V 8A至220FP，包括SWITCHMODE？系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于管中，提供单位重量功能，如0.081130盎司，安装类型设计用于通孔，以及to-220-2全包装包装箱，该设备也可以用作通孔安装类型。此外，供应商设备包为TO-220FP，设备为单配置，设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，正向电压Vf Max If为1.5V@8A，直流反向电压Vr Max为600V，平均整流电流Io为8A，反向恢复时间trr为60ns，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.5 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为8 A，最大浪涌电流为100 A，恢复时间为60ns。
MURH10005R是二极管模块50V 100A D-67，包括50V Vr反向电压，它们设计为在1.3V@100A正向电压Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于50V的直流反向电压Vr Max，其提供了1.3V的正向电压特性，单位重量设计为1.058219盎司，以及D-67供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为MURH100，该设备提供75ns反向恢复时间trr，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为散装，包装箱为D-67，安装方式为通孔，安装类型为底盘安装，最大浪涌电流为800A，Ir反向电流为25uA，如果正向电流为100A，二极管类型为标准型，反向极性，电流反向泄漏Vr为25μA@50V，电流平均整流Io为100A。
MURH10005是二极管模块50V 100A D-67，包括100A电流平均整流Io，它们设计为在25μa@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，该标准提供了如果正向电流功能，如100A，Ir反向电流设计为在25uA下工作，以及800A最大浪涌电流，该设备也可以用作底盘安装型。此外，安装类型为通孔，设备采用D-67封装盒，设备具有大量封装，产品为超快恢复整流器，反向恢复时间trr为75ns，系列为MURH100，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备封装为D-67，单位重量为1.058219盎司，Vf正向电压为1.3V，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1.3V@100A，Vr反向电压为50V。
