9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的MURH10060R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MURH10060R价格参考50.46926美元。GeneSiC半导体MURH10060R封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 100A D-67。您可以下载MURH10060R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如MURH10060R价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
MURH10040R是二极管模块400V 100A D-67，包括MURH100系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如1.058219盎司，安装样式设计用于通孔，以及D-67包装箱，该设备也可以用作底盘安装型。此外，供应商设备包为D-67，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有标准二极管型反向极性，电流反向泄漏Vr为25μa@50V，电压正向Vf Max If为1.3V@100A，电压直流反向Vr Max为400V，电流平均整流Io为100A，反向恢复时间trr为90ns，Vf正向电压为1.5V，Vr反向电压为400V，Ir反向电流为25uA，如果正向电流为100A，则最大浪涌电流为800A。
MURH10060是二极管模块600V 100A D-67，包括600 V Vr反向电压，设计为在100A正向电压Vf Max下工作1.7V。如果数据表注释中显示了用于600V的直流反向电压Vr Max，该模块提供1.7 V的正向电压特性，单位重量设计为1.058219盎司，以及D-67供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为MURH100，该设备提供110ns反向恢复时间trr，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为散装，包装箱为D-67，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为底盘安装，最大浪涌电流为800A，Ir反向电流为25μA，If正向电流为100 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为25μA@600V，平均整流电流Io为100A。
MURH10040是二极管模块400V 100A D-67，包括100A电流平均整流Io，它们设计为在25μa@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，该标准提供了正向电流功能，如100A，Ir反向电流设计为在25uA下工作，以及800A最大浪涌电流，该设备也可以用作底盘安装型。此外，安装类型为通孔，设备采用D-67封装盒，设备具有大量封装，产品为超快恢复整流器，反向恢复时间trr为90ns，系列为MURH100，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备封装为D-67，单位重量为1.058219 oz，Vf正向电压为1.5 V，电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1.3V@100A，Vr反向电压为400V。
