9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的MURH7020R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MURH7020R价格参考50.46926美元。GeneSiC半导体MURH7020R封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 70A D-67。您可以下载MURH7020R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MURH7010是DIODE FAST REC 100V 70A D67，包括散装封装，设计用于D-67封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于底盘安装，提供供应商设备封装功能，如D-67，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作25μA@100V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1V@70A，该器件提供100V电压直流反向Vr Max，该器件具有70A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为75ns，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
MURH7010R是DIODE FAST REC 100V 70A D67，包括1V@70A电压正向Vf Max。如果它们设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，数据表说明中显示了用于D-67的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为75ns，以及散装包装，该器件也可作为D-67封装盒使用，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为底盘安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为25μa@100V，电流平均整流Io为70A。
MURH7020是DIODE FAST 200V 70A D-67，包括70A电流平均整流Io，它们设计为在200V电流反向泄漏Vr下工作25μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如底盘安装，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及D-67封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为75ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有D-67供应商设备包，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1V@70A。
