9icnet为您提供由Semtech Corporation设计和生产的JATX1N5553US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATX1N5553美国参考价格33.93192美元。Semtech Corporation JANTX1N5553US包装/规格：D MET 3A STD 800V HR SM。您可以下载JANTX1N0553US英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATX1N5552US是DIODE GEN PURP 600V 5A B-MELF，包括军用MIL-PRF-19500/420系列，设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供SQ-MELF、B等包装箱功能，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，二极管类型为标准型，该器件提供1μA@600V电流反向泄漏Vr，该器件的正向电压Vf Max If为1.2V@9A，直流反向电压Vr Max为600V，平均整流电流Io为5A，反向恢复时间trr为2μs，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为1 uA，If正向电流为3 A，最大浪涌电流为100 A，恢复时间为2 us。
JATX1N5552是DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL，包括1.2V@9A电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了速度，用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），提供军用、MIL-PRF-19500/420等系列功能，反向恢复时间trr设计为2μs，与散装包装一样，该器件也可以用作B轴封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件采用通孔安装方式，该器件具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μa@600V，电流平均整流Io为5A。
JATX1N5553是DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL，包括5A电流平均整流Io，它们设计为在800V电流反向泄漏Vr下工作1μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，该标准提供安装类型功能，如通孔，安装样式设计为在通孔中工作，它的工作温度范围为-65°C~175°C，该装置也可作为B轴封装外壳使用。此外，包装是散装的，该设备提供2μs反向恢复时间trr，该设备具有军用MIL-PRF-19500/420系列，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），电压DC反向Vr Max为800V，电压正向Vf Max If为1.3V@9A。
