9icnet为您提供由Semtech Corporation设计和生产的JATX1N5554US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATX1N5554美国参考价格33.93192美元。Semtech Corporation JANTX1N5554US包装/规格：D MET 3A STD 1KV HR SM。您可以下载JANTX1N6554US英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATX1N5552US是DIODE GEN PURP 600V 5A B-MELF，包括军用MIL-PRF-19500/420系列，设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供SQ-MELF、B等包装箱功能，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，二极管类型为标准型，该器件提供1μA@600V电流反向泄漏Vr，该器件的正向电压Vf Max If为1.2V@9A，直流反向电压Vr Max为600V，平均整流电流Io为5A，反向恢复时间trr为2μs，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为1 uA，If正向电流为3 A，最大浪涌电流为100 A，恢复时间为2 us。
JATX1N5553是DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL，包括1.3V@9A电压正向Vf Max。如果它们设计为在800V电压直流反向Vr Max下工作，速度如数据表注释所示，用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），提供军用、MIL-PRF-19500/420等系列功能，反向恢复时间trr设计为2μs，除了散装包装外，该器件还可以用作B轴封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件采用通孔安装方式，该器件具有安装类型的通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为1μa@800V，电流平均整流Io为5A。
JATX1N5553US是DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF，包括3A电流平均整流Io，它们设计为在1μa@800V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及SQ-MELF，B封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为2μs，该设备在军用MIL-PRF-19500/420系列中提供，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商设备包为D-5B，电压DC反向Vr Max为800V，电压正向Vf Max If为1.3V@9A。
