9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的1N1189R,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。1N1189R参考价格为7.47300美元。GeneSiC半导体1N1189R封装/规格:DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5。您可以下载1N1189R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N1189是DIODE GEN PURP 600V 35A DO5,包括1N1189系列,它们设计用于标准回收整流器产品,包装如数据表注释所示,用于散装,提供单位重量功能,如1.005308 oz,安装样式设计用于螺柱,以及DO-203AB、DO-5螺柱包装箱,该设备还可以用作底盘、,螺柱安装安装类型。此外,供应商设备包为DO-5,该设备的标准恢复时间大于500ns,速度大于200mA(Io),该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为10μa@50V,正向电压Vf Max If为1.2V@35A,直流反向电压Vr Max为600V,平均整流电流Io为35A,其工作温度结范围为-65°C~190°C,Vf正向电压为1.1 V,Vr反向电压为500 V,Ir反向电流为10 uA,如果正向电流为35 A,最大浪涌电流为595 A。
1N1189A是由Microsemi制造的整流器标准整流器(trr大于500ns)。1N1189A采用DO-5封装,是二极管、整流器阵列的一部分,支持整流器标准整流器(trr大于500ns)、二极管、二极管500V 2引脚DO-5。
1N1189AR是由Microsemi制造的整流器标准整流器(trr大于500ns)。1N1189AR采用DO-5封装,是二极管、整流器阵列的一部分,支持整流器标准整流器(trr大于500ns)、二极管。