9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的1N1189R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N1189R参考价格为7.47300美元。GeneSiC半导体1N1189R封装/规格：DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5。您可以下载1N1189R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N1189是DIODE GEN PURP 600V 35A DO5，包括1N1189系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如1.005308 oz，安装样式设计用于螺柱，以及DO-203AB、DO-5螺柱包装箱，该设备还可以用作底盘、，螺柱安装安装类型。此外，供应商设备包为DO-5，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@50V，正向电压Vf Max If为1.2V@35A，直流反向电压Vr Max为600V，平均整流电流Io为35A，其工作温度结范围为-65°C~190°C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为500 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为35 A，最大浪涌电流为595 A。
1N1189A是由Microsemi制造的整流器标准整流器（trr大于500ns）。1N1189A采用DO-5封装，是二极管、整流器阵列的一部分，支持整流器标准整流器（trr大于500ns）、二极管、二极管500V 2引脚DO-5。
1N1189AR是由Microsemi制造的整流器标准整流器（trr大于500ns）。1N1189AR采用DO-5封装，是二极管、整流器阵列的一部分，支持整流器标准整流器（trr大于500ns）、二极管。
