9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的1N3765，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N3765参考价格7.47300美元。GeneSiC半导体1N3765封装/规格：DIODE GEN PURP 700V 35A DO5。您可以下载1N3765英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N3743R G BK G，带引脚细节，包括散装包装，设计用于DO-205AB、DO-9、螺柱封装外壳，安装类型如数据表注释所示，用于底盘、螺柱安装，提供供应商设备封装功能，如DO-205AA、DO-9，速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA（Io）以及标准二极管类型，该器件还可以用作7mA@1200V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.3V@250A，该设备提供1200V（1.2kV）直流反向电压Vr Max，该设备具有250A的电流平均整流Io，其工作温度结范围为175°C（最大值）。
1N3744是DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205，包括1.3V@250A电压正向Vf Max。如果它们设计为在1400V（1.4KV）电压直流反向Vr Max下运行，速度如数据表注释所示，适用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），提供散装、包装箱设计为在DO-205AB、DO-9、螺柱、，它具有-40°C~200°C的工作温度连接范围，该设备也可以用作底盘、螺柱安装型。此外，二极管类型为标准型，该器件提供250A电流平均整流Io。
1N3744R是DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205，包括250A电流平均整流Io，设计用于标准二极管类型，安装类型如数据表注释所示，用于底盘、螺柱安装，其工作温度结范围为-40°C~200°C，包装箱设计用于DO-205AB、DO-9、螺柱以及散装包装，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，直流反向电压Vr最大值为1400V（1.4kV），该设备提供1.3V@250A正向电压Vf最大值If。
