9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的1N3765R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N3765R参考价格7.47300美元。GeneSiC半导体1N3765R封装/规格：DIODE GEN PURP REV 700V 35A DO5。您可以下载1N3765R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N3765是DIODE GEN PURP 700V 35A DO5，包括1N3765系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如1.005308 oz，安装样式设计用于螺柱，以及DO-203AB、DO-5螺柱包装箱，该设备也可以用作底盘，螺柱安装安装类型。此外，供应商设备包为DO-5，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@50V，正向电压Vf Max If为1.2V@35A，直流反向电压Vr Max为700V，电流平均整流Io为35A，其工作温度结范围为-65°C~190°C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为700 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为35 A，最大浪涌电流为475 A。
1N3744是DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205，包括1.3V@250A电压正向Vf Max。如果它们设计为在1400V（1.4KV）电压直流反向Vr Max下运行，速度如数据表注释所示，适用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），提供散装、包装箱设计为在DO-205AB、DO-9、螺柱、，它具有-40°C~200°C的工作温度连接范围，该设备也可以用作底盘、螺柱安装型。此外，二极管类型为标准型，该器件提供250A电流平均整流Io。
1N3744R是DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205，包括250A电流平均整流Io，设计用于标准二极管类型，安装类型如数据表注释所示，用于底盘、螺柱安装，其工作温度结范围为-40°C~200°C，包装箱设计用于DO-205AB、DO-9、螺柱以及散装包装，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，直流反向电压Vr最大值为1400V（1.4kV），该设备提供1.3V@250A正向电压Vf最大值If。
