9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的1N3767,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。1N3767参考价格7.47300美元。GeneSiC半导体1N3767封装/规格:DIODE GEN PURP 900V 35A DO5。您可以下载1N3767英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N3765R是DIODE GEN PURP REV 700V 35A DO5,包括1N3765系列,它们设计用于标准回收整流器产品,包装如数据表注释所示,用于散装,提供单位重量功能,如1.005308 oz,安装样式设计用于螺柱,以及DO-203AB、DO-5螺柱包装箱,该设备也可以用作底盘,螺柱安装安装类型。此外,供应商设备包为DO-5,该设备的标准恢复时间>500ns,>200mA(Io)速度,该设备具有标准二极管型反向极性,电流反向泄漏Vr为10μa@50V,正向电压Vf Max If为1.2V@35A,直流反向电压Vr Max为700V,电流平均整流Io为35A,其工作温度结范围为-65°C~190°C,Vf正向电压为1.1 V,Vr反向电压为700 V,Ir反向电流为10 uA,如果正向电流为35 A,最大浪涌电流为475 A。
1N3766R是DIODE GEN PURP REV 800V 35A DO5,包括800V Vr反向电压,它们设计为在1.2V@35A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于800V的直流反向Vr Max,该800V提供1.1 V的正向电压特性,单位重量设计为1.005308盎司,以及DO-5供应商设备包,该设备还可以用作标准恢复>500ns,>200mA(Io)速度。此外,该系列为1N3766,该装置为标准回收整流器产品,该装置具有大量包装,包装箱为DO-203AB、DO-5、螺柱,其工作温度结范围为-65°C~190°C,安装方式为螺柱,安装类型为底盘、螺柱安装,最大浪涌电流为475 a,Ir反向电流为10 uA,如果正向电流为35A,二极管类型为标准型,则反向极性,电流反向泄漏Vr为10μA@50V,电流平均整流Io为35A。
1N3766是DIODE GEN PURP 800V 35A DO5,包括35A电流平均整流Io,它们设计为在10μa@50V电流反向泄漏Vr下工作,二极管类型如数据表注释所示,可用于标准中,该标准提供安装类型功能,如底盘、螺柱安装,其工作温度结范围为-65°C ~ 190°C,以及DO-203AB、DO-5,螺柱包装箱,该设备也可以用作散装包装。此外,速度为标准恢复>500ns,>200mA(Io),该设备在DO-5供应商设备包中提供,该设备具有800V直流反向电压Vr Max,正向电压Vf Max If为1.2V@35A。