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R5020210RSWA带有引脚细节，包括散装包装，它们设计用于DO-205AA、DO-8、螺柱封装外壳，安装类型如数据表注释所示，用于底盘、螺柱安装，提供供应商设备封装功能，如DO-205AB（DO-8），速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作45mA@200V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为2.7V@100A，该器件提供200V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有100A的平均整流电流Io，反向恢复时间trr为300ns，其工作温度结范围为-40°C~150°C。
R5016FNX是MOSFET Trans MOSFET N-CH 500V 16A，包括500 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.211644盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N通道，提供晶体管极性特性，如N通道，技术设计为在Si中工作，该器件也可以用作325毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，包装为散装，该设备采用TO-220-3包装盒，该设备具有1个通道数，安装方式为通孔，Id连续漏电流为16 a。
R5019ANJTL是MOSFET Nch 500V 19A MOSFET，包括19 A Id连续漏极电流，其最大工作温度范围为+150 C，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供TO-263-3等封装外壳功能，封装设计为在卷筒中工作，以及100 W Pd功耗，该设备也可以用作R5019ANJ系列。此外，该技术为硅，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件的单位重量为0.068654盎司，Vds漏极-源极击穿电压为500 V。
