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R6020ANX是MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM，包括R6020ANX系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，具有通孔等安装方式特征，包装盒设计用于TO-220-3，以及Si技术，该设备还可用作50 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，器件提供20 A Id的连续漏极电流，器件具有600 V的Vds漏极-源极击穿电压，Rds漏极源极电阻为220 mΩ，晶体管极性为N沟道，正向跨导最小值为7 S。
R6020ANJTL是MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS，包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表说明中显示了在Si中使用的技术，该Si提供了R6020ANJ等系列功能，包装设计为在卷筒中工作，以及1个信道数。
R6020ANZ是ROHM制造的MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF。R6020ANZ可提供TO-3P-3全封装封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF。
